Products #03

Table-top plasma etching instrument

卓上プラズマエッチング装置

半導体故障解析用試料の前処理（配線露出）から

各種プラズマ加工に幅広く対応致します


局所的なプラズマ加工が可能
低残渣かつ高速加工を実現
試料を移動させた広範囲の加工が可能

IMG-OUR
【詳細仕様】
型式 TP-50B
装置寸法 装置本体：
240mm(W) × 390mm(D) × 350mm(H)
重量：20 kg
ステージ仕様 3軸ステージ（Z軸手動、X,Y軸電動ステージ）
搭載試料 最大搭載可能サイズ：100mm × 100mm × t10mm
対応可能ガス N2、D.A、Ar（CF4,O2はオプションとなります）
対象材料 有機膜、Si、SiO2、SiN、SiC（エッチングにはCF4ガスが必要となります）


【吸引プラズマの利点】
プラズマ発生ノズルからプロセスガスを直接排気する加工方法を吸引プラズマと呼んでおります。
吸引プラズマは、プロセスガスをプラズマ発生ノズルから吹き付ける従来の加工方法に比べて様々な利点があります。





利点1. 局所加工精度向上


噴出プラズマの場合、プラズマが試料表面に広がる事で加工範囲が広くなります。
しかし、吸引プラズマの場合、プラズマはノズル直下のみに発生する為、より局所的な加工が可能です。




利点2. 残渣の低減


吸引プラズマはエッチングの反応生成物をプラズマ発生ノズルから直接排気する事で残渣の発生を低減することが可能です。




利点3. 加工温度の低減


吸引プラズマではプラズマ化した高温のガスを試料に直接吹き付けずに加工する為、加工中の試料温度の上昇を減少する事が可能です。